马占红，男，1992年4月出生，宁夏同心人，中共党员，工学博士，讲师，硕士生导师。

学习经历：

2011.9-2015.6，北京科技大学，学士

2015.9-2020.9，中国科学院大学，博士

工作经历：

2021.1-2023.3，永利集团物理与电子电气工程学院

2023.3至今，yl8cc永利官网

讲授课程：

电磁场与电磁波、传感器原理及应用

智能探测与智能传感，新型半导体光电器件与芯片

1.宁夏重点研发项目，紫外光通信关键器件设计与应用研究,2022.01至2023.12,在研，主持

2.宁夏自然科学基金，AlGaN基深紫外LED器件可靠性及失效机理研究，2022.01至2024.01,在研,主持

3.国家自然科学基金面上项目，高品质因子GaN基回音壁谐振腔调控机理研究,2020.01.01至2023.12.31,63万元,在研,参与

4.宁夏青年科技托举人才项目，2024.01至2027.01，在研，主持

代表性论文：

1.Ma Z, Ma C, Ma X, et al. Degradation mechanisms of perovskite nanocrystals in color-converted InGaN micro-light-emitting diodes. OpticsExpress, 2022, 30(20): 36921-36930.

2.Ma Z, Li X, Zhang C, et al. CsPb(Br/I)₃Perovskite Nanocrystals for Hybrid GaN-Based High-Bandwidth White Light-Emitting Diodes. ACS Applied Nano Materials, 2021, 4(8): 8383-8389.

3.Ma Z, Almalki A, Yang X, et al. The influence of point defects on AlGaN-based deep ultraviolet LEDs. Journal of Alloys and Compounds, 2020, 845: 156177.

4.Ma Z, Cao H, Lin S, et al. Optical and frequency degradation behavior of GaN-based micro-LEDs for visible light communication. Optics Express, 2020, 28(9): 12795-12804.

5.Ma Z, Cao H, Lin S, et al. Degradation and failure mechanism of AlGaN-based UVC-LEDs. Solid-State Electronics, 2019, 156: 92-96.

主编或参编的学术著作或教材：

专利及软件著作：

申请国家发明专利3项

暂无